|
УТВЕРЖДЕН приказом Министерства труда и социальной защиты Российской Федерации от 22.04.2021 № 271н |
|||
Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров |
| |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
| |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Общие сведения |
| |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
(наименование вида профессиональной деятельности) |
|
Код |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| Основная цель вида профессиональной деятельности: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Разработка и исследование новых моделей полупроводниковых лазеров с улучшенными характеристиками, обеспечение выполнения комплекса мероприятий от формирования технического задания до организационно-технического сопровождения серийного производства | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Группа занятий: |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |
Руководители подразделений по научным исследованиям и разработкам |
|
Инженеры-электроники |
|||||||||||||||||||||||||||||||
| |
Физики и астрономы |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
(код ОКЗ) |
(наименование) |
(код ОКЗ) |
(наименование) |
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
Отнесение к видам экономической деятельности: |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |
Производство диодов, транзисторов и прочих полупроводниковых приборов, включая светоизлучающие диоды, пьезоэлектрические приборы и их части |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
| |
Научные исследования и разработки в области естественных и технических наук прочие |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
(код ОКВЭД) |
(наименование вида экономической деятельности) |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Описание трудовых функций, входящих в профессиональный стандарт (функциональная карта вида профессиональной деятельности) |
|||||
| |
|
||||
| |
|
|
|
|
|
|
A
|
Разработка новой модели полупроводникового лазера
|
7
|
Поиск и анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера |
A/01.7
|
7
|
|
Проведение расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера |
A/02.7
|
7
|
|||
|
Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового лазера |
A/03.7
|
7
|
|||
|
Разработка исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера |
A/04.7
|
7
|
|||
|
Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности — новой модели полупроводникового лазера |
A/05.7
|
7
|
|||
|
B
|
Организация контроля параметров и испытаний новой модели полупроводникового лазера
|
7
|
Разработка и согласование со службами организации программы метрологического обеспечения, программы и методики испытаний новой модели полупроводникового лазера |
B/01.7
|
7
|
|
Разработка технических условий на новую модель полупроводникового лазера и технической документации, предусмотренной техническим заданием |
B/02.7
|
7
|
|||
|
Разработка и изготовление оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров |
B/03.7
|
7
|
|||
|
Оформление заявок на материалы, комплектующие и оборудование, необходимые для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров |
B/04.7
|
7
|
|||
|
Проведение испытаний разработанного полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания |
B/05.7
|
7
|
|||
|
C
|
Разработка и подготовка производства для серийного выпуска новой модели полупроводникового лазера
|
7
|
Определение перечня оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера |
C/01.7
|
7
|
|
Организация рабочих мест, необходимых для выполнения работ по контролю параметров и испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера |
C/02.7
|
7
|
|||
|
Научно-техническое сопровождение изготовления опытной партии разработанной новой модели полупроводникового лазера |
C/03.7
|
7
|
|||
|
Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера для проверки соответствия требованиям технического задания |
C/04.7
|
7
|
|||
|
D
|
Научно-техническое сопровождение серийного производства новой модели полупроводникового лазера
|
7
|
Согласование методов контроля параметров разработанной модели полупроводникового лазера с учетом условий его серийного производства в организации-изготовителе |
D/01.7
|
7
|
|
Согласование методики входного контроля при поставке полупроводниковых лазеров заказчику |
D/02.7
|
7
|
|||
|
Подготовка исходных данных, необходимых для оформления рекламных и информационных сообщений о разработанном полупроводниковом лазере |
D/03.7
|
7
|
|||
|
Корректировка технической документации с целью устранения недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера |
D/04.7
|
7
|
|||
|
Согласование решения по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных полупроводниковых лазеров |
D/05.7
|
7
|
|||
|
Проведение в составе комиссии типовых испытаний новой модели полупроводникового лазера для подтверждения правильности внесенных конструктивных и технологических изменений |
D/06.7
|
7
|
|||
|
E
|
Подготовка проекта создания новой модели полупроводникового лазера
|
7
|
Уточнение условий и режимов эксплуатации, конструктивных особенностей разрабатываемой модели полупроводникового лазера |
E/01.7
|
7
|
|
Согласование с заказчиком технического задания на новую разрабатываемую модель полупроводникового лазера (технических требований) и объема разрабатываемой документации |
E/02.7
|
7
|
|||
|
Определение с заказчиком перечня организаций-соисполнителей (организаций-контрагентов) для разработки новой модели полупроводникового лазера |
E/03.7
|
7
|
|||
|
Разработка со службами организации организационных и технических мероприятий, необходимых для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера |
E/04.7
|
7
|
|||
|
Подготовка распорядительного акта о начале реализации проекта создания новой модели полупроводникового лазера |
E/05.7
|
7
|
|||
|
Сведения об организациях – разработчиках профессионального стандарта |
|
|
Ответственная организация-разработчик |
|
| Фонд инфраструктурных и образовательных программ (РОСНАНО), город Москва | |
| Генеральный директор Свинаренко Андрей Геннадьевич | |
| Наименования организаций-разработчиков | |
| |
НП «Межотраслевое объединение наноиндустрии», город Москва |
| |
ООО «Лассард», город Обнинск, Калужская область |
| |
ООО «Новые технологии лазерного термоупрочнения», город Владимир |
| |
ООО «НПП «Инжект», город Саратов |
| |
ФГБОУ ВО «Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых», город Владимир |
| |
ФГБУ «Всероссийский научно-исследовательский институт труда» Министерства труда и социальной защиты Российской Федерации, город Москва |
| |
ФКП «Государственный лазерный полигон «Радуга», город Радужный, Владимирская область |
| Совет по профессиональным квалификациям | |
|
Совет по профессиональным квалификациям в сфере нанотехнологий и микроэлектроники |
|
Направления обучения
Хотите задать вопрос?
Мы поможем вам сделать верный выбор и проконсультируем по всем условиям обучения и особенностям учебных практик.
7(343)364-64-87